▲台積電。（圖／記者高兆麟攝）
文／中央社綜合外電
日經亞洲報導，台積電向ASML訂購的當前最先進半導體製造設備、新一代高數值孔徑極紫外光（High NA EUV）曝光機，將於今年底前首件交貨，晚幾個月跟上美國對手英特爾的腳步。
日經亞洲（Nikkei Asia）指出，荷蘭製造商艾司摩爾（ASML）的High NA EUV曝光機也是目前世界最昂貴的晶片製造設備，每台要價約3億5000萬美元（約新台幣111億6500萬元），約等同3架F-35戰鬥機。
聽取過相關簡報的幾位消息人士告訴日經亞洲，台積電將於本季在新竹總部附近的研發中心安裝這款新的High NA EUV曝光機，而雖然這款機器要能量產得先進行廣泛的研究和工程工作，但台積電感覺沒必要趕。
根據消息人士說法，台積電很可能將在其推出所謂A10（angstrom 10，10埃米）製程後，才會考慮用High NA EUV曝光機來進行商業生產。
台積電目前目標是明年底前開始用2奈米製程生產晶片，而A10製程比2奈米約更先進2代。
反觀英特爾（Intel）已在幾個月前於其位於美國俄勒岡州（Oregon）的研發中心架設首批到貨的Ｈigh NA EUV曝光機，並為了準備商業生產而正在進行測試。第2批機器也已於今年第2季出貨給英特爾。
英特爾為了奪回晶片製造領導地位，正在努力加快製程發展，並鎖定最晚在2027年讓High NA EUV曝光機進行商業生產。英特爾為了專注研發自身技術，已將今明兩年的中央處理器（CPU）製造工作部分外包給台積電。
標題：日媒曝台積電先進曝光機年底交貨 造價等同3架F-35戰鬥機
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